圖2.HBM放電波形

圖3.HBM等級

一般以電壓來表達HBM等級，不同的IC根據(jù)使用場景對于HBM等級有不同的要求。而隨著越來越規(guī)范的生產制度，HBM模型造成的失效比例在一步步的降低。

圖4.HBM測試模型

2.MM模型。

MM與HBM模型相似，仿真的是機械設備接觸芯片的情況。

圖5.MM放電模型

圖6.MM放電波形

圖7.MM放電等級

MM放電模型也隨著高度規(guī)范的生產流程，慢慢淡出人們的視線。現(xiàn)在業(yè)界將HBM與MM進行整合，制定了HMM模型。

3.CDM模型 ?。。。?/span>

這是本期的重點，因為隨著IC規(guī)模越來越大，ESD失效中CDM的比重正在快速上升，尤其是數(shù)-模不同電壓域的芯片，更易發(fā)生CDM事件。

CDM的場景是芯片因為摩擦或者其它原因在襯底內部集聚了很多電荷，當在封裝或者測試時芯片引腳接觸到探針后發(fā)生的放電事件。CDM放電事件主要會對MOS器件的柵極造成損壞，造成（dielectric failure）。CDM是三種模型中最難處理的情況，放電時間短，電流幅值大。放電路徑與HBM和MM有差異。

圖8.CDM放電模型

圖9.CDM放電模型

圖10.CDM放電等級

CDM模型500V折算電流是10.4A。而且CDM的脈沖時間極短，大約~0.3ns達到電流最大值。

圖11.CDM放電測試模型